Samsung vyvinul jako první paměťové čipy LPDDR5 DRAM pro síť 5G a AI mobilní aplikace

Samsung oznámil, že vyvinul jako první 8GB paměťové čipy LPDDR5 DRAM postavené na 10nm výrobním procesu. Podle jeho představ by měly najít uplatnění v nových mobilních zařízeních s podporou chystané sítě 5G a mobilních aplikacích využívajících AI a strojové učení.

Maximální rychlost přenosu dat činí 6400 MB/s, což je 1,5 více, než kolik dosahují současné čipy LPDDR4X. Díky tomu čipy dokáží poslat 51,2 GB dat nebo přibližně 14 videosouborů v rozlišení Full HD (každý po 3,7 GB) za sekundu.

Čipy budou moci snížit napětí 1,1 V, při němž dosáhnou uvedené datové propustností 6400 MB/s, na 1,05 V, kdy budou disponovat propustností „jen“ 5500 MB/s. Další snížení spotřeby (podle slov Samsungu až o 30 %) zajistí režim „deep sleep“, čímž prodlouží životnost baterie ve smartphonech.

Nové čipy – ve skutečnosti jeden paměťový modul LPDDR5 DRAM skládající se z osmi jednotlivých čipů – se budou vyrábět (stejně jako např. chystané čipy GDDR6) na technologicky nejvyspělejších výrobních linkách továrny ve městě Pchjongtchek.

Samsung se ve své tiskové zprávě nezmiňuje, jaké zařízení bude modul využívat jako první, nabízí se však vlajková loď Galaxy S10, který má jihokorejský technologický obr podle neoficiálních informací představit v lednu na novém ročníku veletrhu spotřební elektroniky CES.

Zdroj: samsung.com